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半导体大消息!美国同意三星电子、SK海力士向华提供设备

         发布日期:2024-04-25 10:31    点击次数:180

  刚刚,半导体传来一则大消息。

  10月9日,韩国总统办公室通报,美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无需其它许可。意味着,在无需单独批准的情况下,三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是,全球最大和第二大存储芯片制造商,三星电子、SK海力士在中国市场深耕多年。

  另外,市场消息称,存储芯片价格已触底反弹,三星等国际大厂正在酝酿涨价,涨价预期主要集中在DRAM(动态随机存取存储器)芯片领域。二级市场上,10月9日,半导体板块逆势反弹,存储芯片方向领涨。其中,好上好录得涨停,斩获4连板;同有科技、江波龙、东芯股份、德明利、力源信息等领涨。

  值得注意的是,台积电的3nm芯片突然被曝出良品率偏低,引发市场关注。据韩媒 ChosunBiz援引消息人士的话报道,三星电子、台积电的3nm半导体良品率目前都仅有50%左右。另外,有分析师声称,iPhone 15系列手机出现发热问题,可能是因为台积电的3nm制程上存在缺陷。

  半导体大消息

  10月9日,韩国总统办公室通报,美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无需其它许可。意味着,在无需单独批准的情况下,三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。

  韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆在记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。

  崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。

  三星在一份声明中表示:“通过与相关政府的密切协调,与我们在中国的半导体生产线运营相关的不确定性已大大消除。”

  SK海力士也表示:“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定。我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”

  回顾此前,2022年10月,拜登政府实施了全面的出口管制措施,禁止美企对中国芯片制造商出口生产芯片所需的设备。并规定三星电子、SK海力士需要获得许可证才能将美国芯片制造设备带入中国。

  韩国《中央日报》分析称,由于美国的技术控制和出口限制,韩国正失去中国巨大的半导体市场。如果中国的半导体自主速度加快,高度依赖半导体产业的韩国经济必然会蒙受损失。韩国今年的国税收入将较预期减少59万亿韩元(约合人民币3247亿元),主要原因之一就是半导体企业业绩不振。

  在强烈反对下,三星、SK海力士在华工厂获得了进口相关设备的豁免权,无需向美政府申请额外许可,豁免期限为1年,至今年10月11日。

  2023年9月27日,韩联社报道,美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星、SK海力士在华工厂进口美国芯片设备的豁免权。

  根据无限期豁免,美国商务部将把这两家芯片制造商添加到其“经过验证的最终用户”(VEU)名单中,该名单表明哪些实体可以接收各种美国技术的出口。一旦被列入名单,芯片制造商将不再需要单独出口案件的新许可。

  值得一提的是,作为全球最大和第二大存储芯片制造商,三星电子、SK海力士在中国市场深耕多年。其中,三星电子在中国西安生产NAND闪存,SK海力士在无锡工厂生产DRAM芯片,在大连生产NAND闪存,两家公司都投资了数十亿美元。

  Trend Force集邦咨询的数据显示,截至2023年6月末,这两家韩国企业控制着全球近70%的动态半导体存储器(DRAM)和50%的闪存芯片(NAND)市场。

  涨价信号

  近日,据多家媒体报道称,存储芯片价格已触底反弹,三星等国际大厂正在酝酿涨价,涨价预期主要集中在DRAM(动态随机存取存储器)芯片领域。

  据《韩国经济日报》消息,三星电子近期与主要智能手机客户签署了内存芯片供应协议,其中包括小米、OPPO及谷歌。协议中,DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调幅度达到10-20%。

  业内预计,随着下半年国内手机品牌陆续推新以及iPhone15系列发布,上游出货压力将逐步缓解,存储芯片调整周期尾声将至,整个存储芯片市场有望迎来拐点。

  二级市场上,10月9日,半导体板块表现较为亮眼,存储芯片方向领涨,好上好斩获涨停,已连续4个交易日录得涨停,冠石科技、万润科技涨停,江波龙大涨超7%,东芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易创新等跟涨。

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  消息面上,三星电子将下调平泽三厂(P3)投资规模,并大砍DRAM、NAND Flash达产规模,其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准。三星电子调查显示,各领域客户存储库存调整已接近完成。

  今年以来,三星一直坚定执行减产战略,今年1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星着手大幅削减NAND Flash业务产量。

  分析人士指出,三星的目标是,扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转。三星预计,从2024年开始将会有部分地区的DRAM和NAND Flash供应出现短缺。

  SK证券研究员Han Dong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

  台积电突传利空

  据韩媒 ChosunBiz 报道,消息人士称,三星电子、台积电的3nm半导体良品率目前都仅有50%左右。这一水平还不足以吸引硬件供应商的目光。

  报道称,据一位熟悉三星的人士透露,要赢得高通等大客户明年的3纳米移动芯片订单,良率至少需要提高到70%。

  至于台积电,虽然作为目前唯一一家拥有3nm量产记录的公司,但其产量同样低于最初预期。有分析师表示,台积电3nm工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构,可能“未能控制”过热问题。

  值得一提的是,自苹果iPhone 15/Pro系列手机自发布以来,收到了许多用户关于手机发热的报告,相关话题一度冲上热搜,引发热议。近日,有分析师声称,iPhone 15系列手机出现发热问题,可能是因为台积电的3纳米制程上存在缺陷。台积电在3纳米工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构,没能很好地控制过热问题。

  而苹果方面则坚称,发热问题纯粹是软件问题,并已经为iOS 17发布了补丁来解决这个问题。

  此前,天风国际分析师郭明錤在社交平台上发文,针对目前苹果iPhone 15 Pro手机过热问题进行了解读,并表示,“与台积电3nm制程无关”。主要可能是为了让重量更轻,因此对散热系统设计作出了妥协,像是散热面积较小、采用钛合金影响散热效果等。

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